Đột phá trong công nghệ pin sạc

05/03/2015 09:03

Một nhóm các khoa học Singapore và Canada vừa công bố một bước đột phá trong nghiên cứu công nghệ pin sạc...

Đột phá trong công nghệ pin sạc
Nhóm các nhà khoa học Singapore và Canada có bước đột phá mới trong nghiên cứu công nghệ pin sạc. (Ảnh: IBN, IREQ)

Trong thông cáo báo chí chung ra ngày 25/2, các nhà nghiên cứu Viện Kỹ thuật Sinh học và Công nghệ Nano (IBN) thuộc trung tâm nghiên cứu A*STAR của Singapore và Viện Nghiên cứu Quebec (IREQ) của Canada cho biết họ đã tổng hợp dược hộp nano bằng vật liệu silicate có thể dự trữ lượng điện năng nhiều gấp đôi so với các điện cực phốt phát thông thường.

Theo Giáo sư Jackie Y Ying - Giám đốc điều hành IBN, các nhà nghiên cứu đã lần đầu tiên kiểm soát thành công đồng thời cả giai đoạn thuần khiết và cấu trúc nano của vật liệu Li2MnSiO4.

Giáo sư Y Ying cho hay cách tiếp cận tổng hợp mới sẽ cho phép họ tiến gần hơn đến việc đạt năng lực lý thuyết của các điện cực làm bằng silicate cho các ứng dụng pin.

Công trình nghiên cứu giữa IBN và IREQ được bắt đầu từ năm 2011. Các nhà khoa học có kế hoạch tiếp tục nghiên cứu để phát triển vật liệu điện cực mới của mình nhằm chế tạo các pin lithium-ion năng lực cao hơn cho mục đích thương mại...

Thanh Hà